Gated-controlled rectification of a self-assembled monolayer-based transistor

  1. Mentovich, E.D.
  2. Rosenberg-Shraga, N.
  3. Kalifa, I.
  4. Gozin, M.
  5. Mujica, V.
  6. Hansen, T.
  7. Richter, S.
Revista:
Journal of Physical Chemistry C

ISSN: 1932-7447 1932-7455

Any de publicació: 2013

Volum: 117

Número: 16

Pàgines: 8468-8474

Tipus: Article

DOI: 10.1021/JP311875G GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible