Photodoping-Driven Crossover in the Low-Frequency Noise of MoS2 Transistors

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Zeitschrift:
Physical Review Applied

ISSN: 2331-7019

Datum der Publikation: 2017

Ausgabe: 7

Nummer: 3

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVAPPLIED.7.034034 GOOGLE SCHOLAR