An artificial neuron founded on resistive switching of Mott insulators

  1. Adda, C.
  2. Tranchant, J.
  3. Stoliar, P.
  4. Corraze, B.
  5. Janod, E.
  6. Gay, R.
  7. Llopis, R.
  8. Besland, M.-P.
  9. Hueso, L.E.
  10. Cario, L.
Actes:
2017 IEEE 9th International Memory Workshop, IMW 2017

ISBN: 9781509032723

Any de publicació: 2017

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/IMW.2017.7939071 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus