Top dielectric induced ambipolarity in an n-channel dual-gated organic field effect transistor

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Zeitschrift:
Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7526 2050-7534

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 7

Nummer: 33

Seiten: 10389-10393

Art: Artikel

DOI: 10.1039/C9TC02912E GOOGLE SCHOLAR