Spin transport in dangling-bond wires on doped H-passivated Si(100)

  1. Kepenekian, M.
  2. Robles, R.
  3. Rurali, R.
  4. Lorente, N.
Revista:
Nanotechnology

ISSN: 1361-6528,  0957-4484

Any de publicació: 2014

Volum: 25

Número: 46

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0957-4484/25/46/465703 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus