Hydrogen dissociation and diffusion near the Si<111>/a-SiO2 interface: Understanding degradation in MOSFETs

  1. Sheikholeslam, S.A.
  2. Manzano, H.
  3. Grecu, C.
  4. Ivanov, A.
Revista:
Superlattices and Microstructures

ISSN: 1096-3677,  0749-6036

Any de publicació: 2018

Volum: 120

Pàgines: 561-568

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SPMI.2018.06.018 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus