Electronic Properties of Transferable Atomically Thin MoSe2/h-BN Heterostructures Grown on Rh(111)
- Chen, M.-W.
- Kim, H.
- Bernard, C.
- Pizzochero, M.
- Zaldĺvar, J.
- Pascual, J.I.
- Ugeda, M.M.
- Yazyev, O.V.
- Greber, T.
- Osterwalder, J.
- Renault, O.
- Kis, A.
ISSN: 1936-086X, 1936-0851
Datum der Publikation: 2018
Ausgabe: 12
Nummer: 11
Seiten: 11161-11168
Art: Artikel