Electronic Properties of Transferable Atomically Thin MoSe2/h-BN Heterostructures Grown on Rh(111)

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Zeitschrift:
ACS Nano

ISSN: 1936-086X 1936-0851

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 12

Nummer: 11

Seiten: 11161-11168

Art: Artikel

DOI: 10.1021/ACSNANO.8B05628 GOOGLE SCHOLAR

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