Atomic and electronic structure of bismuth-bilayer-terminated Bi2Se3 (0001) prepared by atomic hydrogen etching

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Zeitschrift:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN: 1550-235X,  1098-0121

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 91

Nummer: 20

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVB.91.205430 GOOGLE SCHOLAR
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